真空滅弧室有哪些歷史版本
本文作者:大禹漢光 發布時間:2014-09-29
真空滅弧室是真空斷路器的關鍵部件,可以說是真空滅弧室的不斷發展,才提高了真空斷路器的技術水平。從真空滅弧室在我國發展以來,總共有五個版本。
第一代、CuBi系合金觸頭,φ145 mm玻璃外殼,阿基米德螺旋槽橫磁電極結構,額定電壓12 kV,額定電流1 250 A,額定短路開斷電流20
kA。
第二代、引進西門子的3AF系列真空滅弧室。CuCr50合金杯狀觸頭,陶瓷外殼,杯狀橫磁電極結構,額定電流2 500~3 150
A,額定短路開斷電流31.5~40 kA。
第三代、自行開發的真空滅弧室。CuCr50觸頭材料,屏蔽罩內置,φ88~125 mm陶瓷絕緣外殼,杯狀縱磁電極結構。額定電流3 150
A,額定短路開斷電流40 kA。
第四代、真空滅弧室。以一次封排技術為代表,整體質量有了很大提高,開發出12 kV、24 kV和40.5
kV各種真空滅弧室。真空滅弧室工藝從排氣臺式工藝發展到一次封排工藝以至完全一次封排工藝,工藝過程變得簡單,不僅提高了數量而且提高了質量。
第五代、固封極柱真空滅弧室。將真空滅弧室通過自動壓力凝膠工藝包封在環氧樹脂殼體內,形成固封極柱,避免了外力和外界環境對真空滅弧室及其他導電件的影響,增強了外絕緣強度,大大減少了裝配工作量,并使之真空斷路器小型化。真空滅弧室的外絕緣經歷了空氣絕緣→復合絕緣→固封絕緣。
由以上可見,真空滅弧室技術的進步反映在觸頭的材質上、縱橫磁場的形成上、制造工藝的改進上以及外絕緣的改變上。
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